介质损耗测试系统主要性能参数一览表

BH916测试装置

平板电容极片Φ50mm/Φ38mm

可选频率范围20KHz-60MHz/200KHz-160MHz

间距可调范围≥15mm 频率指示误差3×10-5±1个字

夹具插头间距25mm±0.01mm 主电容调节范围30-500/18-220pF

测微杆分辨率0.001mm 主调电容误差<1%或1pF

夹具损耗角正切值≦4×10-4 （1MHz)

Q测试范围2～1023

介电常数测试仪测试原理：

基于串联谐振原理的《GDAT高频Q表》是测试系统的二次仪表，其数码化主调电容器的创新设计代表了行业的zui高成就，随之带来了频率、电容双扫描GDAT的全新搜索功能。该表具有*人机界面，采用LCD液晶屏显示各测量因子：Q值、电感L、主调电容器C、测试频率F、谐振趋势指针等。高频信源采用直接数字合成,测试频率10KHz-60MH或200KHz-160MHz，频率精度高达1×10-6。国标GB/T1409-2006规定了用Q表法来测定电工材料高频介质损耗角正切值(tanδ)和介电常数(ε)，把被测材料作为平板电容的介质，与辅助电感等构成串联谐振因子引入Q表的测试回路，以获取zui高的测试灵敏度。因而Q表法的测试结果更真实地反映了介质在高频工作状态下的特征。

全数字化界面和微机控制使读数清晰稳定、操作简便。操作者能在任意点频率或电容值的条件下检测
Q值甚至tanδ，无须关注量程和换算，*摒弃了传统Q表依赖面板上印制的辅助表格操作的落后状况，它无疑是电工材料高频介质损耗角正切值(tanδ)和介电常数(ε)测量的理想工具

基于串联谐振原理的《GDAT高频Q表》是测试系统的二次仪表，其数码化主调电容器的创新设计代表了行业的zui高成就，随之带来了频率、电容双扫描GDAT的全新搜索功能。该表具有*人机界面，采用LCD液晶屏显示各测量因子：Q值、电感L、主调电容器C、测试频率F、谐振趋势指针等。高频信源采用直接数字合成,测试频率10KHz-60MH或200KHz-160MHz，频率精度高达1×10-6。

国标GB/T 1409-2006规定了用Q表法来测定电工材料高频介质损角正切值(tanδ)和介电常数(ε)，把被测材料作为平板电容的介质，与辅助电感等构成串联谐振因子引入Q表的测试回路，以获取zui高的测试灵敏度。因而Q表法的测试结果更真实地反映了介质在高频工作状态下的特征。

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介电常数测试仪

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